瞧一瞧：安森美半导体推出全碳化硅MOSFET模块解决方案 用于电动汽车充电

盖世汽车讯6月7日，推动节能创新的安森美半导体（ONSemiconductor）宣布推出1对1200V全碳化硅（SiC）MOSFET2-pACK模块，进1步增强其产品系列，从而适应充满拆迁土地是怎么确权的
挑战的电动汽车（EV）市场。

随着电动汽车销量延续增长，基础设施需要不断完善以满足驾驶员需求，如提供快速充电站网络，从而使汽车可以快速完成行程，且不会有“里程焦虑”。随着这类需求不断发展，对充电功率超过350kW，效力超过95%的要求同样成为“常态”。由于部署充电桩的环境和地点多样，设计人员面临着多种挑战，包括紧凑型、稳健性和增强的可靠性。

（图片来源：安森美半导体）

全新1200VM1全碳化硅MOSFET2-pACK模块基于平面技术打造，适用的驱动电压为18⑵0V，且易于使用栅极负电压进行驱动。与沟槽型MOSFET相比，较大的裸芯片可下降热阻，从而在相同工作温度降落低裸芯片温度。

NXH010p120MNF1配置为2-pACK半桥架构，是采取F1封装的10mohm器件，而NXH006p120MNF2是采取F2封装的6mohm器件。这些封装采取压接式引脚，非常合适工业利用，另外还采取嵌入式负温度系数（NTC）热敏电阻，有助于温度监控。

作为安森美半导体电动汽车充电生态系统的1部份，全新碳化硅MOSFET模块旨在与驱动器解决方案（如NCD5700x器件）1起使用。最近推出的NCD57252双通道隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动器提供5kV的电流隔离，可配置为双下桥、双上桥或半桥工作。

NCD57252采取小型SOIC⑴6宽体封装，接受逻辑电平输入（3.3V、5V和15V）。由于典型传播延迟为60ns，该高电流器件（在米勒平台电压下，源电流为4.0A/灌电流为6.0A）合适高速工作。

安森美半导体的碳化硅MOSFET与全新模块和栅极驱动器构成互补。与类似的硅器件相比，该碳化硅MOSFE可提供出色的开关性能和增强的散热性能，从而以提高效力和功率密度、改良电磁干扰（EMI）、并减小系统尺寸和减少重量村委会强拆居民房屋应该怎么告
。

最近发布的650V碳化硅MOSFET采取新颖的有源单元设计，结合先进的薄晶圆技术，可为（RDS(on)*area）提供1流的品质因数（FoM）。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L拆迁不需要安置怎么赔偿
015N065SC1和NTH4L015N065SC等系列器件可为D2pAK7L/TO247封装的MOSFET提供市场上最低的RDS(on)。

1200V和900VN通道碳化硅MOSFET芯片尺寸较小，可下降器件电容和栅极电荷（Qg–低至220nC），从而下降电动车充电桩所需高频工作的开关消耗。

（李佳佳HN153）

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